Главная > Схемотехника > Искусство схемотехники, Т.1
<< Предыдущий параграф
Следующий параграф >>
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Макеты страниц

6.15. Источник опорного напряжения на стабилитроне

Недавно стала получать распространение схема, известная под названием «стабилитрон с напряжением запрещенной зоны». Более точно было бы название -стабилитрон». Это легко понять, вспомнив формулу Эберса-Молла для диода. В основе схемы лежит идея генерации напряжения с температурным коэффициентом, положительным и равным по абсолютной величине отрицательному температурному коэффициенту напряжения . При сложении этого напряжения с получается напряжение с нулевым температурным коэффициентом.

Начнем с рассмотрения токового зеркала с двумя транзисторами, работающими с разной плотностью эмиттерного тока (рис. 6.23), с обычным отношением плотностей тока порядка . Применяя формулу Эберса-Молла, легко показать, что имеет положительный температурный коэффициент, так как разность напряжений для двух транзисторов есть просто , где а - отношение плотностей тока (см. график на рис. 2.53). Здесь может возникнуть вопрос: где взять постоянный задающий ток . Несколько позже мы покажем остроумный способ его получения. Сейчас вам надо только преобразовать этот ток в напряжение с помощью резистора и сложить с нормальным напряжением . Такая схема показана на рис. 6.24. Резистор устанавливает величину напряжения, которое складывается с и имеет положительный температурный коэффициент. Подбирая должным образом величину , получаем нулевой результирующий температурный коэффициент. Оказывается, что температурный коэффициент будет нулевым, если суммарное напряжение равно напряжению запрещенной зоны кремния (при температуре абсолютного нуля), т. е. примерно 1,22 В. Часть схемы, обведенная пунктиром, является стабилитроном. Ее выход используется (через резистор ) для создания постоянного тока , который мы с самого начала считали существующим.

Таблица 6.7. ИМС источников опорного напряжения

(см. оригинал)

Таблица 6.7. ИМС источников опорного напряжения (продолжение)

(см. оригинал)

Рис. 6.23.

Рис. 6.24. Классическая схема источника опорного напряжения с напряжением запрещенной зоны полупроводника.

Рис. 6.25.

На рис. 6.25 показана другая весьма популярная схема стабилитрона «запрещенной зоны» (заменена обведенная часть схемы рис. 6.24). - согласованная пара транзисторов, вынужденная благодаря обратной связи по разности напряжений коллекторов работать при отношении токов коллекторов . Разность напряжений , равная делает ток эмиттера пропорциональным температуре (разность напряжений приложена к резистору ). Но поскольку коллекторный ток всегда в 10 раз больше этой величины, он также пропорционален Т. Поэтому суммарный эмиттерный ток пропорционален Т и создает на резисторе падение напряжения, имеющее положительный температурный коэффициент. Это падение напряжения может быть использовано в качестве выходного сигнала температурного датчика (мы об этом дальше упомянем). В данной схеме напряжение, снимаемое с резистора , складывается с напряжением транзистора для получения стабильного опорного напряжения с нулевым температурным коэффициентом на базах транзисторов и . «Опорные источники запрещенной зоны» существуют в самых разных вариантах, но для них всех характерно сложение напряжения с напряжением, созданным парой транзисторов, работающих с некоторым заданным отношением плотностей токов.

ИМС опорных источников с напряжением запрещенной зоны.

Примером стабилитрона с напряжением запрещенной зоны является недорогая двухвыводная схема , имеющая номинальное рабочее напряжение 1,235 В (ее собрат имеет встроенную схему для генерации 2,5 В), работоспособную при токах вплоть до столь малых значений как . Это много меньше, чем можно было бы требовать от любого стабилитрона, и это делает данные ИМС прекрасным образом подходящими для микромощных приборов (см. гл. низкое опорное напряжение (1,235 В) часто намного более удобная вещь, чем номинальное рабочее напряжение стабилитронов 5 В (вы можете встретить стабилитроны с номинальным напряжением 3,3 В, однако у них совершенно ужасные характеристики с очень плавным изгибом).

Лучшие образцы из ряда гарантируют температурный коэффициент не хуже и типичное значение динамического сопротивления 1 Ом при токе . Сравним эти величины с теми же параметрами стабилитрона на 2,4 В: температурный коэффициент (тип.), динамическое сопротивление около 3000 Ом при токе , и одновременно при этом же токе «напряжение стабилизации» (определяемое в спецификации как 2,4 В при токе ) составляет около 1,1 В! Когда вам нужно прецизионно стабильное напряжение, эти превосходные ИМС на стабилитроне кладут обычные стабилитроны на лопатки.

Если вы готовы выложить чуть больше денег, то сможете найти опорные источники на -стабилитронах с превосходной стабильностью, например такие, как двухвыводной или трехвыводной ). Последний тип, так же как и трехвыводные источники опорного напряжения на стабилитронах, нуждается в источнике питания постоянного тока. В табл. 6.7 перечислены большинство из имеющихся источников опорного напряжения (на стабилитронах и стабилитронах, двух- и трехвыводные).

Одним из интересных источников опорного напряжения является ИМС . Это недорогой источник опорного напряжения на «программируемом стабилитроне»; его схема включения показана на рис. 6.26. «Стабилитрон» включается, когда управляющее напряжение достигает 2,75 В («стабилитрон» сделан по схеме ); этот прибор по управляющему входу потребляет ток всего лишь в несколько микроампер и имеет температурный коэффициент выходного напряжения около . При указанных на схеме значениях параметров на выходе получается стабилизированное напряжение 10 В. Эти приборы выпускаются в двухрядных корпусах и могут работать при токах до .

Рис. 6.26.

Температурные датчики, использующие . Предсказуемостью изменения с температурой можно воспользоваться при создании ИМС для измерения температуры. Например, помимо своей основной функции генерирует выходное напряжение, линейно изменяющееся с температурой (см. выше). С помощью простых внешних схем можно получить выходное напряжение, сигнализирующее о температуре ИМС с точностью 1% во всем «армейском» диапазоне (от —55 до ). Схема , используемая как чисто температурный датчик, дает точный ток . Это двухвыводное устройство; к нему надо приложить напряжение (4-30 В) и можно измерять ток. также можно применять таким способом. Другие датчики, такие как , генерируют на выходе точное напряжение с крутизной . В разд. 15.01 все эти «преобразователи» температуры рассмотрены детально.

Трехвыводные прецизионные источники опорного напряжения.

Ранее мы уже отмечали, что возможно создание источников опорного напряжения с отличной температурной стабильностью (до и даже лучше). Это особенно впечатляет, когда вы видите, что имеющий почтенный возраст элемент Вестона - традиционный, прошедший через века источник опорного имеет температурный коэффициент порядка (см. разд. 15.11). Вот два способа получения таких источников.

1. Температурно-стабилизированные источники опорного напряжения.

Хороший подход к получению превосходной температурной стабильности источников опорного напряжения или других схем заключается в обеспечении работы источников опорного напряжения и, возможно, связанных с ними схем при постоянной повышенной температуре. В гл. 15 будут показаны простые приемы осуществления этой идеи (один очевидный способ состоит в организации управления нагревателем с помощью температурного датчика ). Таким образом можно добиться сильного уменьшения зависимости характеристик схемы от колебаний внешней температуры. Для прецизионной схемотехники представляет интерес метод помещения хорошо температурно-компенсированного опорного источника в условия постоянной температуры, что значительно улучшает его характеристики.

Подобная техника температурно-стабилизированных или «термостатированных» схем применяется уже много лет, в частности для создания сверхстабильных генераторов. Существуют не слишком дорогие источники питания и опорные источники напряжения, в которых используются термостатированные опорные схемы. Этот метод дает хорошие результаты, но имеет свои недостатки: громоздкость и сравнительно большую потребляемую нагревателем мощность, а также медленный разогрев и выход на режим (обычно 10 или более минут). Эти проблемы легко снять, если стабилизировать температуру на уровне кристалла ИМС (чипа) включением нагревательной схемы вместе с датчиком в состав самой интегральной схемы. Этот подход был впервые опробован в годах фирмой Fairchild, выпустившей температурно-стабилизированную дифференциальную пару и предусилитель постоянного тока .

Позже появились «термостатированные» источники опорных напряжений, такие , как серия National . ИМС этой серии имеют температурный коэффициент (типовое значение) , или . Такие опорные источники установлены в стандартных транзисторных корпусах . Их нагреватели потребляют мощность и разогреваются до нужной температуры за 3 с. Пользуясь этими схемами, следует отдавать себе отчет в том, что последующие схемы на операционных усилителях, и даже проволочные прецизионные резисторы с их температурным коэффициентом , могут сильно испортить характеристики, если при проектировании не принять крайних мер предосторожности. В частности, приходится учитывать даже дрейф прецизионных ОУ с очень низким уровнем дрейфа, таких, как , с типовым значением дрейфа входного каскада . Эти аспекты проектирования прецизионных схем рассматриваются в гл. 7 в разд. .

При использовании существует одна опасность: может выйти из строя, если напряжение питания нагревателя хотя бы на короткий момент времени упадет ниже 7,5 В.

Источник опорного напряжения с запрещенной зоной хотя и работает в нормальных условиях без подогрева, однако имеет встроенные в кристалл нагреватель и датчик. Поэтому его можно включать так же, как и , получая температурный коэффициент менее . Однако в отличие от для требуется некоторая внешняя схемная обвязка, чтобы получить термостат (ОУ и с полдюжины элементов).

2. Прецизионные источники опорного напряжения без подогрева. Термостатированная имеет превосходный температурный коэффициент, однако она не демонстрирует чего-либо экстраординарного в отношении таких параметров, как шум или долговременный дрейф (см. табл. 6.7). Кроме того, нагрев этого кристалла занимает несколько секунд и он потребляет большую мощность при включении, после стабилизации).

Хитроумные разработчики сделали возможным создание источников опорного напряжения с эквивалентной стабильностью, но без подогрева. ИМС фирмы Burr-Brown имеют температурный коэффициент (макс.), они не потребляют мощность для подогрева и у них нет задержки выхода на режим за счет нагрева.

Рис. 6.27. Сравнение напряжения шумов стабилитронов с захороненным слоем (я), стабилитронов с подогревом (б) и источников опорного напряжения на -стабилитроне (в). (С разрешения Burr-Brown Corporation). Сравнение плотности шумов (г) и интегрального напряжения шума стабилитронов указанных типов.

Кроме того, долговременный дрейф и шум у них меньше, чем у источников типа . Среди других трехвыводных источников опорного напряжения с температурным коэффициентом не более фирмы Maxim и или , выпускаемые фирмой Analog Devices. В двухвыводной конфигурации есть лишь один достойный соперник - это великолепный LTZ1000 фирмы Linear Technology, у которого заявленный температурный коэффициент составляет . В спецификации на это устройство указаны также на порядок лучшие характеристики по долговременной стабильности и шуму, чем у любых других источников опорного напряжения любого типа.

Для ИМС требуется хорошая внешняя схема смещения, которую можно построить на ОУ и еще нескольких элементах. Во всех перечисленных высокостабильных источниках опорного напряжения (включая с подогревом) используются стабилитроны с захороненным слоем, что дополнительно обеспечивает намного меньший шум, чем обычные стабилитроны или -стабилитроны (рис. 6.27).

<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Оглавление