Главная > Схемотехника > Транзистор?.. Это очень просто!
<< Предыдущий параграф
Следующий параграф >>
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Макеты страниц

Уменьшение толщины базы

Н. — Совсем неглупо придумали — придушить поток электронов или дырок! Но каким образом удается уменьшать толщину базы?

Л. — Это достигается путем вырезания с каждой стороны базы своего рода воронок или лунок. Донышки обеих лунок разделяет в этом случае расстояние всего лишь в несколько микрон. Затем в них осаждают немного индия — вот и весь фокус.

Н. — Тебя послушаешь, так это очень просто. Но я сомневаюсь в точности инструмента, используемого для вырезания этих углублений.

Л. — Этим инструментом служат очень тонкие струйки жидкости, по которым через германнй проходит постоянный ток. В результате электролиза, а именно на этом явлении и основан процесс обработки, атом за атомом отрываются от полупроводника. В конце операции изменяют направление тока, и благодаря тому же электролизу атомы индия из соответствующего электролита осаждаются на поверхность только что вырезанных углублений (рис. 38).

Н. — Чудесно! Но как узнают точно тот момент, когда база стала достаточно тонкой?

Л. — Измеряя электрическое сопротивление между двумя струйками жидкости. Изготовленные этим способом транзисторы (их называют поверхностно-барьерными) могут использоваться на частотах, достигающих .

Н. — Во всяком случае, они должны хорошо работать в диапазоне коротких волн.

Л. — Другой способ уменьшения толщины базы заключается в применении двойной диффузии. Чтобы сделать транзистор структуры p-n-p, берут пластинку полупроводникового материала типа .

Рис. 38. Процесс изготовления поверхностно-барьерного транзистора и разрез такого транзистора.

Н. — Ты ошибаешься, Любознайкин.

Л. — Совсем нет. Сейчас ты увидишь, как все происходит. Пластинку подвергают действию паров только с одной стороны. Пары одновременно содержат примесн обоих типов, причем одна из примесей (обычно донорная) имеет скорость проникновения несколько большую, чем другая (акцепторная), но концентрация последней выше. В результате впереди слоя типа p образуется тонкий слой типа n и мы имеем транзистор структуры - p-n-p, у которого база может иметь толщину всего лишь в одну тысячную долю миллиметра ) и который способен усиливать на частотах до .

Н. — Действительно, остроумное решение.

Л. — Не менее остроумен метод изготовления дрейфовых транзисторов, у которых прилегающий к эмиттеру слой базы содержит большее количество примесей (в случае структуры p-n-p — доноров) с тем, чтобы увеличить проводимость. При этом проникающие в базу электроны получают значительное ускорение, что позволяет отодвинуть частотный предел транзисторов до .

Н. — Все лучше и лучше! А развивая твою мысль, нельзя ли уменьшить емкость между коллектором и базой, разведя эти электроды и не увеличивая при этом толщины базы?

<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Оглавление