Главная > Схемотехника > Транзистор?.. Это очень просто!
<< Предыдущий параграф
Следующий параграф >>
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Макеты страниц

Отдаление базы

Л. — А каким средством ты предполагаешь достичь этой цели?

Н. — Я хотел бы проложить между базой и коллектором слой нейтрального германия, который не имел бы проводимости ни типа p, ни типа n, но увеличил бы расстояние между электродами.

Л. — Это, мой друг, совсем неглупое предложение, и оно осуществлено в транзисторах под названием p-n-i-p, где буква I обозначает слой германия с собственной проводимостью (рис. 39).

Н. — Черт возьми! Меня еще раз опередили!

Рис. 39. Две возможные структуры транзистора с зоной собственной проводимости между базой и коллектором.

Когда встает вопрос о горах

Л. — Весьма сожалею, Незнайкин... В заключение мне хотелось бы рассказать тебе еще об одной модели транзистора для высоких частот, в производстве которого используется метод двойной диффузии. Для изготовления такого транзистора берут полупроводник типа p, который будет служить коллектором, и методом диффузии создают слой примесей типа n, который будет служить базой. Затем с той же стороны также с помощью диффузии вводят примеси типа p, которые, сокращая толщину базы до величины порядка 0,002 мм, образуют эмиттер. Хитрость заключается в том, что последняя диффузия производится через маску, с тем чтобы подвергать воздействию только узкие полоски поверхности полупроводника. Эта поверхность после такой обработки (рис. 40, а) представляет чередующиеся полоски типа p (эмиттер) и типа n (база).

Рис. 40. Последовательные этапы изготовления меза-транзистора.

Затем на эту поверхность наносят капельки воска так, чтобы каждая из них одновременно прикрывала и зону n и зону p (рис. 40,5). Диаметр такой капельки не превышает четверти миллиметра. Пластинку полупроводника после этого опускают в раствор, стравливающий не защищенные воском участки. Произведенное таким образом травление уменьшает толщину всей пластинки и обнажает исходный материал типа p повсюду, кроме маленьких участков, которые были покрыты воском. После удаления воска пластинка оказывается покрытой крохотными бугорками (рис. 40, в), к каждому из которых можно припаять выводы базы и эмиттера (они делаются из толстой проволоки диаметром 0,025 мм).

Н. — Как можно работать с такой тонкой проволокой?

Л. — Под бинокулярным микроскопом, но, конечно, предварительно пластинка полупроводника травится и разрезается на кусочки по числу бугорков, из которых каждый превращается затем в транзистор. Эти транзисторы называют «меза», название, которое в Южной Америке служит для обозначения горных плато с обрывистыми краями.

Меза-транзисторы свободно преодолевают границу , т. е. работают на волнах короче .

Н. — Какой тщательности и какого внимания требует изготовление этих микроскопических гор]

<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Оглавление