Главная > Схемотехника > Транзистор?.. Это очень просто!
<< Предыдущий параграф
Следующий параграф >>
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Макеты страниц

Автоматическая регулировка усиления

Н. — Можно ли в транзисторных схемах сделать автоматическую регулировку усиления (АРУ), зависящую от величины принимаемых сигналов? Я хочу сказать — такую регулировку, которая бы служила не только для сглаживания замирания сигнала, но и для устранения любых колебаний принимаемого сигнала, как, например, при проезде автомобиля с приемником под металлическим мостом.

Рис. 117. Усилительный каскад высокой или промежуточной частоты, управляемый системой автоматической регулировки усиления (АРУ).

Л. — АРУ в транзисторных схемах строится по тем же принципам, что и в ламповых схемах. Ты знаешь, что усиление транзистора зависит от его крутизны, которая в свою очередь изменяется от тока эмиттера. Следовательно, изменяя смещение базы, можно изменять усиление. Если используется, как это обычно бывает, транзистор структуры p-n-p, то ток эмиттера, а следовательно, и усиление можно уменьшить, сделав базу менее отрицательной.

Н. — А, я догадался, для этой цели используют напряжение, снимаемое после детектирования и усредненное с помощью параллельно соединенных сопротивления и емкости.

Л. — Правильно, однако и здесь не следует терять из виду, что управление транзистором требует не напряжения, а мощности. Поэтому часто приходится снимать регулирующее напряжение после усиления постоянной составляющей, полученного от детектора сигнала. Позднее ты увидишь, что в этом нет ничего сложного.

Н. — А пока я вижу (рис. 117), что каскады высокой и промежуточной частоты управляются довольно простой системой АРУ. Напряжение, которое должно быть тем более положительно, чем сильнее сигнал, поступает на базу через сопротивление . Другое сопротивление , соединенное с отрицательным полюсом источника питания, вместе с образует делитель напряжения.

Таким образом, средний потенциал базы будет изменяться: он будет тем отрицательней, чем слабее сигнал, что повлечет за собой увеличение усиления. При сильных сигналах, наоборот, потенциал базы будет менее отрицательным, что приведет к снижению усиления. Итак, все будет прекрасно!

Непредвиденная трудность

Л. — Я еще раз вынужден омрачить твою радость: твой оптимизм не так уж обоснован. Не забывай, что в транзисторе все взаимосвязано и что каждое изменение одной из величин резко изменяет все другие. В данном случае входная и выходная емкости изменяются одновременно и в том же направлении, что и величина тока эмиттера.

Н. — Значит, регулирующее напряжение своими изменениями вызывает еще и расстройку колебательных контуров, включенных на выходе и входе транзистора?

Рис. 118. Схема усиленной АРУ с диодом Д, вносящим переменное затухание в первый колебательный контур.

Л. — Ну, да, Незнайкин, но этим, однако, не ограничиваются неприят иости, так как входное и выходнбе сопротивления также изменяются в зависимости от тока эмиттера, но в противоположном направлении.

Н. — А это важно? Ведь увеличение этих сопротивлений лишь меньпи будет шунтировать йонтуры на входе и выходе. И приемник станет боле избирательным...

Л. - ... и поэтому он хуже будет воспроизводить звук, так как полоса пропускания станет более узкой и мы лишимся высоких звуков при приеме сильных сигналов.

Н. — За время, которое я тебя знаю, Любознайкин, я понял твой метод, который состоит в том, чтобы накапливать самые большие трудности, а затем устранять их как бы по мановению волшебной палочки. Так будь любезен и ударь своей волшебной палочкой.

Л. — По правде говоря, тебе следует удовлетвориться компромиссом, так как нелегко устранить все недостатки, которые я тебе указал. Для этой цели можно усилить действие регулятора, воздействуя одновременно на затухание настроенного контура, с тем чтобы повысить это затухание, когда сигналы становятся более сильными. Вот очень ловко придуманная схема, позволяющая это сделать (рис. 118). Ты найдешь здесь тот же способ управления усилением при помощи постоянной составляющей напряжения детектированных сигналов, которое прикладывается к базе транзистора. Но, кроме того, ты неожиданно для себя обнаружишь в схеме необычный диод Д, включенный между выводом одного из входных контуров и сопротивлением развязки в цепи коллектора, Попробуй проанализировать его роль.

Н. — Хорошо. Допустим, что принимаемые сигналы становятся сильнее Напряжение, поступающее через сопротивление на базу второго транзистора, будет делать базу менее отрицательной, и ток эмиттера этого транзистора уменьшится. Ток коллектора также уменьшится. Значит, уменьшится падение напряжения, создаваемое этим током на сопротивлении . Это приводит к тому, что точка А станет более отрицательной и пропускаемый диодом Д ток увеличится, потому что прикладываемое к диоду в прямом направлении напряжение возрастет. Вот и все ...

Л. — Нет, это не все. Потому что цепь, в которую входит диод (я провел ее жирной линией), как ты видишь, шунтирует наш первый настроенный контур. Тот факт, что ток в этой цепи увеличивается, означает, что ее сопротивление уменьшается. Следовательно, эта цепь вносит в первый колебательный контур затухание, увеличивающееся при приеме сильных сигналов.

Н. — Я понял, в чем дело! Для сильных сигналов, когда внутренние сопротивления транзисторов повышаются, ты искусственно ввел здесь сопротивление, величина которого уменьшается. И, таким образом, мы одним изменением компенсируем другое. Кроме того, возросшие потери в контуре снижают усиление, что усиливает действие АРУ.

Л. — Незнайкин, мне кажется, что скоро ты будешь учить меня теории и практике транзисторов ...

<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Оглавление